반도체 회로가 아주 뜨거워지면 얼마나 느려질까요?

상세 설명

이 연구는 접합 온도 25–250°C 범위에서 기본 CMOS 논리 셀의 스위칭 속도를 조사했다.

두 가지 표준 4 μm CMOS 공정으로 제작된, 용량성 부하가 연결된 인버터와 NAND 게이트의 실험 측정값을 이론 및 SPICE2G.6 시뮬레이션과 비교했다.

이 연구에서 °C당 0.004–0.006 범위였던 단순한 계수(초록에서 ‘delineation factor’로 지칭)를 특정 온도에서의 평균 게이트 지연에 적용하면, 그 지연을 좋은 근사 수준으로 정확하게 예측할 수 있었다.

논리 셀은 일반적으로 250°C에서 실온보다 최대 65% 느린 것으로 나타났다.